Tại sao tin tưởng doanh nghiệp của bạn cho chúng tôi?
Chúng tôi hoảng loạn ra khỏi mua sắm. Chúng tôi dự trữ hàng triệu bộ phận khó tìm từ các nguồn đáng tin cậy của chúng tôi. Chúng tôi làm mới danh sách sản phẩm của mình theo phút và mua hàng trực tuyến được hoàn thành trong thời gian thực và được giao hàng ngày.
Được thành lập vào năm 2002, MFGChips là công ty hàng đầu trong lĩnh vực phân phối linh kiện điện tử và cũng được công nhận là một trong những công ty sáng tạo và có uy tín nhất trong thị trường địa phương hiện nay. Có trụ sở tại Hồng Kông, MFGChips đã đạt được danh tiếng ấn tượng khi cung cấp dịch vụ xuất sắc và phát triển các giải pháp chuỗi cung ứng toàn cầu hiệu quả, toàn diện.
Tìm hiểu thêm >
TVS diode để bảo vệ sic mosfet
Sê-ri TVS DIODE cung cấp bảo vệ đơn thành phần cho các trình điều khiển cổng SIC MOSFET, đơn giản hóa các thiết kế và cải thiện bảo vệ quá điện áp trong các hệ thống EV.
Littelfuse, Inc. đã công bố ra mắt loạt phim diode không đối xứng TPSMB của mình.Công ty tuyên bố sản phẩm này là diode ức chế điện áp thoáng qua không đối xứng đầu tiên (TVS) được thiết kế rõ ràng để bảo vệ trình điều khiển cổng MOSFET của silicon cacbua (SIC) trong các ứng dụng ô tô.Diode giải quyết nhu cầu bảo vệ quá điện áp trong các hệ thống xe điện (EV), cung cấp một giải pháp thành phần đơn thay thế cho nhiều điốt Zener hoặc các thành phần TV được sử dụng trước đây để bảo vệ trình điều khiển cổng.
Sê-ri DIODE không đối xứng TPSMB cung cấp sự bảo vệ cho các trình điều khiển cổng SIC MOSFET, dễ bị tổn thương bởi các sự kiện quá điện áp do tốc độ chuyển đổi nhanh hơn của chúng so với MOSFES dựa trên silicon hoặc IGBT truyền thống.Thiết kế không đối xứng phù hợp với xếp hạng điện áp điều khiển cổng tích cực và âm khác nhau của SIC MOSFET, đảm bảo hiệu suất trong các ứng dụng năng lượng ô tô như Bộ sạc trên tàu (OBC), bộ biến tần lực kéo EV, giao diện I/O và xe buýt VCC.Các ứng dụng này yêu cầu bảo vệ quá điện áp để duy trì hiệu suất, độ bền và hiệu quả.
Diode TPSMB không đối xứng DIODE cung cấp một số tính năng để bảo vệ trình điều khiển cổng SIC MOSFET trong các ứng dụng ô tô.Một lợi thế là khả năng của nó để cung cấp bảo vệ trình điều khiển cổng SIC MOSFET đơn thành phần, loại bỏ nhu cầu của nhiều điốt Zener hoặc TVS và giảm số lượng thành phần.Diode được thiết kế để bảo vệ điện áp điều khiển cổng không đối xứng, giải quyết các xếp hạng điện áp âm và dương khác nhau của SIC MOSFET.
DIODE có trong gói DO-214AA, phù hợp cho các thiết kế ô tô bị hạn chế không gian.Đó là AEC-Q101 đủ điều kiện, đảm bảo độ tin cậy cho các ứng dụng ô tô.Sê -ri không đối xứng TPSMB cung cấp sự bảo vệ với khả năng tiêu tán công suất lên tới 600W Tản biến công suất xung đỉnh, bảo vệ hiệu quả chống lại các sự kiện quá điện áp thoáng qua.DIODE cũng có điện áp kẹp thấp, bảo vệ các ổ đĩa âm âm.
Charlie Cai, Giám đốc Quản lý sản phẩm, Kinh doanh Bảo vệ, Littelfuse, nhấn mạnh giá trị sản phẩm này mang lại cho các kỹ sư ô tô: Chuỗi DIODE không đối xứng TPSMB cung cấp một giải pháp sáng tạo cho bảo vệ Cổng SIC MOSFET, loại bỏ sự cần thiết của nhiều thành phần và đơn giản hóaQuá trình thiết kế cho các kỹ sư.Thiết kế nhỏ gọn, đáng tin cậy của nó đảm bảo rằng các hệ thống điện ô tô quan trọng được bảo vệ chống lại các sự kiện quá điện áp, hỗ trợ sự tiến bộ liên tục của xe điện và các ứng dụng hiệu suất cao khác.
Littelfuse, Inc. đã công bố ra mắt loạt phim diode không đối xứng TPSMB của mình.Công ty tuyên bố sản phẩm này là diode ức chế điện áp thoáng qua không đối xứng đầu tiên (TVS) được thiết kế rõ ràng để bảo vệ trình điều khiển cổng MOSFET của silicon cacbua (SIC) trong các ứng dụng ô tô.Diode giải quyết nhu cầu bảo vệ quá điện áp trong các hệ thống xe điện (EV), cung cấp một giải pháp thành phần đơn thay thế cho nhiều điốt Zener hoặc các thành phần TV được sử dụng trước đây để bảo vệ trình điều khiển cổng.
Sê-ri DIODE không đối xứng TPSMB cung cấp sự bảo vệ cho các trình điều khiển cổng SIC MOSFET, dễ bị tổn thương bởi các sự kiện quá điện áp do tốc độ chuyển đổi nhanh hơn của chúng so với MOSFES dựa trên silicon hoặc IGBT truyền thống.Thiết kế không đối xứng phù hợp với xếp hạng điện áp điều khiển cổng tích cực và âm khác nhau của SIC MOSFET, đảm bảo hiệu suất trong các ứng dụng năng lượng ô tô như Bộ sạc trên tàu (OBC), bộ biến tần lực kéo EV, giao diện I/O và xe buýt VCC.Các ứng dụng này yêu cầu bảo vệ quá điện áp để duy trì hiệu suất, độ bền và hiệu quả.
Diode TPSMB không đối xứng DIODE cung cấp một số tính năng để bảo vệ trình điều khiển cổng SIC MOSFET trong các ứng dụng ô tô.Một lợi thế là khả năng của nó để cung cấp bảo vệ trình điều khiển cổng SIC MOSFET đơn thành phần, loại bỏ nhu cầu của nhiều điốt Zener hoặc TVS và giảm số lượng thành phần.Diode được thiết kế để bảo vệ điện áp điều khiển cổng không đối xứng, giải quyết các xếp hạng điện áp âm và dương khác nhau của SIC MOSFET.
DIODE có trong gói DO-214AA, phù hợp cho các thiết kế ô tô bị hạn chế không gian.Đó là AEC-Q101 đủ điều kiện, đảm bảo độ tin cậy cho các ứng dụng ô tô.Sê -ri không đối xứng TPSMB cung cấp sự bảo vệ với khả năng tiêu tán công suất lên tới 600W Tản biến công suất xung đỉnh, bảo vệ hiệu quả chống lại các sự kiện quá điện áp thoáng qua.DIODE cũng có điện áp kẹp thấp, bảo vệ các ổ đĩa âm âm.
Charlie Cai, Giám đốc Quản lý sản phẩm, Kinh doanh Bảo vệ, Littelfuse, nhấn mạnh giá trị sản phẩm này mang lại cho các kỹ sư ô tô: Chuỗi DIODE không đối xứng TPSMB cung cấp một giải pháp sáng tạo cho bảo vệ Cổng SIC MOSFET, loại bỏ sự cần thiết của nhiều thành phần và đơn giản hóaQuá trình thiết kế cho các kỹ sư.Thiết kế nhỏ gọn, đáng tin cậy của nó đảm bảo rằng các hệ thống điện ô tô quan trọng được bảo vệ chống lại các sự kiện quá điện áp, hỗ trợ sự tiến bộ liên tục của xe điện và các ứng dụng hiệu suất cao khác.